Исследователи корпорации Intel сообщают о прорыве в изучении процессов производства полупроводниковых устройств. Ученые смогли разделить луч света на два отдельных луча при прохождении через полупроводник и использовали инновационное устройство транзисторного типа, чтобы придать одному лучу электрический заряд, создавая при этом фазовый сдвиг.
Когда два луча света снова соединяются, из-за фазового сдвига между двумя лучами свет на выходе из микросхемы включается и выключается с частотой более 1 ГГц (один миллиард бит данных в секунду), что в 50 раз превышает скорость, которая достигалась в полупроводниковых микросхемах ранее.
Возможность создания быстрых фотоэлектронных (т.е. оптоволоконных) модуляторов на базе обычных полупроводников открывает дорогу новому поколению высокоскоростных оптоволоконных соединений между ПК, серверами и другими электронными устройствами, а также между отдельными внутренними компонентами ПК.
Источник новости: 3DNews