Компания Micron поставила рекорд плотности оперативной памяти DDR3, представив компоненты плотностью 2 Гбит, из которых могут получиться модули ёмкостью 4, 8 и 16 Гбайт. Объём в 4 Гбайт получат модули для ПК и ноутбуков, а более ёмкие планки будут изготовляться для серверов.Производство памяти ведется по 78нм техпроцессу. Напряжение модулей памяти составляет 1,5 В. Скорость передачи данных объявлена на уровне 1333 Мбит/с, что почти в два раза выше пропускной способности стандартной памяти DDR2 800 МГц. В рознице объявленная память от Micron должна появиться в 1 квартале следующего года. Источник новости: techPowerUp!