Компания Nanya Technology на выставке SemiTech, состоявшейся в Тайпее, представила новые модули оперативной памяти DDR3, работающие на частоте 1066 МГц и имеющие пропускную способность 8,5 Гбайт/с. 240-контактные планки оснащены 512 мегабитными чипами памяти, общий объём которых составляет 1 Гбайт.Чипмейкер сообщает, что уже во второй половине текущего года компания начнёт тестовое производство представленных устройств, которые будут поставляться незначительному количеству партнеров компании. О пробном производстве говорит и используемый 90-нм техпроцесс – при старте массового изготовления чипов DDR3-памяти компания планирует перейти на более совершенный 70-нм техпроцесс. Согласно планам Nanya Technology, массовое производство и поставки устройств на рынок стартуют только в 2008 году, а пока официальные представители чипмейкера заявляют, что производство устройств памяти DDR3 в ближайшей перспективе не будет приносить сколь заметной прибыли. Основные характеристики модулей типа DDR3: рабочее напряжение 1,5 В; архитектура с 8-битной предвыборкой; наличие датчика температуры, размещенного непосредственно на кристаллах чипов памяти; работа при выставленных значениях CAS-таймингов от 5 до 10; поддержка PASR (Partial Array Self Refresh) и ASR (Auto Self Refresh) режимов работы для снижения энергопотребления; чипы памяти заключены в 78-ball FBGA и 96-ball FBGA корпуса. Источник новости: digitimes.com