Samsung начинает производство 3-битной MLC NAND памяти 2х нм класса

Компания Samsung Electronics с гордостью объявила, что она первой в индустрии приступает к производству 3-битных чипов NAND памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) на 64 Гбит (8 Гб) с применением технологических норм 20 нм класса. По словам представителей южнокорейского электронного гиганта, подобное достижение, как ожидается, позволит ускорить внедрение фирменных высокопроизводительных решений на основе NAND, использующих технологию Toggle DDR, в продукты, требующие применения NAND памяти с высоким показателем плотности.

Напомним, в ноябре прошлого года Samsung уже отметилась схожим достижением, представив NAND чипы на 32 Гбит с тем же показателем плотности (3 бита на ячейку), однако при выпуске этих решений использовался более традиционный технологический процесс 30 нм класса. Таким образом, переход на “тонкую” технологию 2х нм класса позволил, в числе прочего, заметно повысить емкость NAND памяти. Сообщается, что новые 3-битные чипы MLC NAND на 64 Гбит должны найти применение в USB накопителях высокой емкости и картах памяти формата SD, а также, очевидно, могут использоваться в смартфонах и твердотельных дисках.

Источник новости: Samsung