Samsung создает 30 нм чипы LPDDR2 с плотностью 4 и 8 Гбит для мобильных устройств

Компания Samsung Electronics официально объявила о разработке и начале выпуска опытных образцов первых в индустрии монолитных чипов памяти LPDDR2 (low power double-data-rate 2) DRAM с плотностью 4 Гбит, созданных на основе технологии 30 нм класса. Кроме того, представлены и аналогичные чипы с плотностью 8 Гбит, созданные на базе так называемого пакетного дизайна.

Очевидно, южнокорейский производитель стремится таким образом удовлетворить спрос на все большие объемы памяти в мобильной электронике, к примеру, в смартфонах и планшетных компьютерах, а рабочие частоты новых чипов LPDDR2 от Samsung доходят до 1066 МГц. Этот показатель более чем вдвое превышает предельные частотные значения мобильной памяти DRAM предыдущего поколения, ограниченные 400 МГц.

Таким образом, разработки Samsung способны обеспечить новый уровень плотности и производительности памяти DRAM в будущих мобильных устройствах. При этом, к примеру, новая DRAM с плотностью 8 Гбит, включающая в себя две 4 Гбит микросхемы, потребляет на 25 процентов меньше энергии по сравнению со своим предшественником с четырьмя 2 Гбит чипами, а также имеет более тонкий дизайн (0,8 мм против 1 мм). Как уже упоминалось, выпуск опытных образцов  LPDDR2 с плотностью 4  Гбит уже начался, а 8 Гбит чипы должны выйти на эту же стадию до конца декабря.

Источник новости: TechConnect Magazine