0,13-микронная технология в SRAM от Samsung

Samsung Electronics стала первой компанией, которая применила 0,13-микронную технологию в производстве SRAM и выпустила память с низким энергопотреблением, которая может использоваться в мобильных телефонах для новых услуг (например, для IMT-2000). Разработав 8Мб SRAM в начале этого года, компания начинает производство нового устройства K6F8016U6B, которое и запустит в массовое производство в четвертом квартале этого года. Эту память предполагается использовать в мобильных телефонах третьего поколения, на которые, как ожидается, будет возложена задача обработки больших объемов аудио- и видеоинформации, а также установления скоростных соединений.

Использование 0,13-микронной геометрии цепи, новый чип будет на 30% меньше по размерам, чем существующие микросхемы памяти, выполненные по 0,15-микронной технологии, при повышении производительности на 50%.

В будущем году Samsung планирует начать выпуск SRAM, выполненной по 0,10-микронной технологии и к 2003 году освоить 0,08-микронную, что позволит компании удерживать лидирующее положение на формирующемся рынке памяти для мобильных телефонов третьего поколения. Ориентируясь на производителей мобильных телефонов, Samsung планирует освоить выпуск 16Мб SRAM на основе той же 0,13-микронной технологии.

По оценкам аналитиков, от продаж микросхем памяти для мобильных телефонов Samsung получит 1,8 млрд. долларов в этом году и к 2002 году захватит 30% акций мирового рынка в этом секторе.

Источник новости: Samsung Electronics