SanDisk начала производство по второму поколению 19-нм техпроцесса
Вскоре после Toshiba, корпорация SanDisk объявила о начале отгрузки первых тестовых модулей памяти, произведенных по самой передовой технологии 1Y-нм, которая представляет собой второе поколение 19-нм техпроцесса.
Технологические достижения SanDisk в области создания полупроводников позволили корпорации перейти от производства модулей памяти 19х26 нм к модулям 19х19,5 нм, которые на 25% компактнее своих предшественников.
19-нм пластины SanDisk второго поколения производятся по самой современной флеш-технологии с использованием новых технологических процессов и конструкторских решений. Применение архитектуры SanDisk All-Bit-Line (ABL) в сочетании со специальными программными алгоритмами и схемами управления многоуровневыми ячейками памяти, позволяет создавать многослойные (MLC) модули NAND, демонстрирующие высокие показатели производительности и надежности. Кроме того, при создании 19-нм модулей памяти второго поколения применяется технология SanDisk X3 (три бита на ячейку). Она позволяет производить широкий спектр недорогих устройств хранения данных для всех сегментов постоянно растущего рынка флеш-памяти.
Источник новости: SanDisk