Fujitsu и Ramtron завершили разработку 0.35-микронного технологического процесса для памяти FRAM

Ramtron International Corporation и Fujitsu Limited объявили о завершении разработки встраиваемой многослойной ферроэлектрической памяти FRAM, произведенной по 0.35-микронному технологическому процессу. В данное время ведутся работы по опробованию и внедрению процесса на крупном производственном комплексе в Ивате (Iwate), Япония. Новый процесс, который компании намереваются ввести в эксплуатацию во второй половине 2001 года, призван повысить стоимостную эффективность производства стандартных устройств памяти FRAM и, в то же время, подстегнуть разработку новых микросхем на основе FRAM, таких как микроконтроллеры и специфические микросхемы с интегрированной памятью.

«Мы рады объявить о завершении разработок, которые длились два года, - говорит Тацуя Ямадзаки (Tatsuya Yamazaki), директор Fujitsu по разработке FRAM. - Эта перспективная технология, которую мы успешно разработали в сотрудничестве с Ramtron, призвана открыть для FRAM новые рыночные перспективы. Успеху нашей разработки способствует хороший баланс между себестоимостью и производительностью».

Источник новости: Ramtron