IBM разрабатывает технологию, способную повысить производительность микросхем на 35%

IBM заявила о создании технологии изменения кремния, основного материала микросхем, которая позволяет уcкорить выполнение операций на 35%.

Технология «Напряжённый кремний» (“Strained Silicon”) растягивает материал и тем самым ускоряет прохождение электронов по элементам микросхемы, что, в свою очередь, повышает производительность и уменьшает энергопотребление микросхем.

Как заявил Рэнди Айзак (Randy Isaak), вице-президент отделения IBM Research: «Большинство наших конкурентов занимается расширением возможностей микросхем, в то время как мы исследуем физические ресурсы кремния. Таким образом, мы сохраняем лидирующие позиции в технологии и теперь сосредотачиваем усилия на улучшении материалов микросхем, их структуры и дизайна. Такой подход определяет саму возможность таких открытий, как напряжённый кремний».

Тридцати пятипроцентное повышение производительности микросхем обусловлено изменённой атомной структурой напряжённого кремния, которая позволяет электронам передвигаться на 70 процентов быстрее без изменения архитектуры элементов мкросхемы.

Это уже пятый по счёту технологический прорыв IBM за последние пять лет. Технология «Напряжённый кремний» будет доступна в продукции компании в 2003 году.

Источник новости: IBM.com