Учёные из Питера первыми в России научились создавать нано-материал для транзисторов

Учёные из СПбГУ первыми в России запатентовали технологию производства силицена - материала с уникальной кристаллической решеткой, который используется для электроники посткремниевой эпохи Учёные из Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ), сделали большой шаг в разработке будущих микроэлектронных устройств — создали и запатентовали устройство для получения силицена. Этот материал обладает большим потенциалом в микроэлектронике. Профессор кафедры электроники твёрдого тела СПбГУ, Алексей Комолов, объясняет, что их технология позволяет формировать однослойный силицен с крупными нанокристаллическими доменами. Это важное достижение для России и перспективный шаг в развитии посткремниевой микроэлектроники. Микроэлектроника требует новых материалов, которые могут заменить дорогостоящий кристаллический кремний. Одним из таких материалов является силицен, аналог графена, который состоит из атомов кремния, а не углерода. Учёные СПбГУ смогли синтезировать силицен путём термической сублимации, когда исходный материал распыляется и частицы оседают на подложке, образуя тонкую плёнку. Процесс проводится в вакууме для обеспечения чистых условий. Физики использовали вольфрамовую подложку с предварительно нанесённым слоем серебра и смогли получить однослойный силицен с крупными кристаллическими доменами благодаря особенностям структуры серебряного слоя. Это важное достижение российских учёных, открывает новые перспективы в области микроэлектроники и может иметь дальнейшее влияние на разработку более эффективных и передовых устройств.