Опубликовано 08 ноября 2023, 18:40
1 мин.

Российские ученые создадут новые полупроводники для 5G

На основе карбида кремния
Руководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН в Санкт-Петербурге Сергей Кукушкин рассказал, что ученые из ИПМаш РАН начали работу над созданием новых полупроводников на основе карбида кремния, которые в дальнейшем можно будет использовать в сфере 5G связи, пишет ТАСС.