Российские ученые создадут новые полупроводники для 5G
На основе карбида кремнияРуководитель лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН в Санкт-Петербурге Сергей Кукушкин рассказал, что ученые из ИПМаш РАН начали работу над созданием новых полупроводников на основе карбида кремния, которые в дальнейшем можно будет использовать в сфере 5G связи, пишет ТАСС.